Infineon FRAM, 64 kB, SOIC, SPI, 8-Pin, CY15B064Q-SXE

RS品番:: 181-7565
メーカー型番:: CY15B064Q-SXE
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon FRAM, 64 kB, SOIC, SPI, 8-Pin, CY15B064Q-SXE

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4 - 38	￥593.00	￥1,186
40 - 58	￥577.50	￥1,155
60 - 78	￥561.50	￥1,123
80 +	￥547.50	￥1,095

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RS品番:: 181-7565
メーカー型番:: CY15B064Q-SXE
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	メモリサイズ	64kB
	プロダクトタイプ	FRAM
	構成	8K x 8 bit
	インタフェースタイプ	SPI
	データバス幅	8bit
	最大ランダムアクセス時間	25ns
	取付タイプ	表面
	最大クロック周波数	16MHz
	パッケージ型式	SOIC
	ピン数	8
	幅	4.8 mm
	規格 / 承認	No
	長さ	3.8mm
	高さ	1.5mm
	動作温度 Max	125°C
	最小電源電圧	3V
	自動車規格	AEC-Q100
	ワード数	8K
	1ワード当たりのビット数	8
	最大電源電圧	3.6V
	動作温度 Min	-40°C

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	メモリサイズ 64kB
	プロダクトタイプ FRAM
	構成 8K x 8 bit
	インタフェースタイプ SPI
	データバス幅 8bit
	最大ランダムアクセス時間 25ns
	取付タイプ表面
	最大クロック周波数 16MHz
	パッケージ型式 SOIC
	ピン数 8
	幅 4.8 mm
	規格 / 承認 No
	長さ 3.8mm
	高さ 1.5mm
	動作温度 Max 125°C
	最小電源電圧 3V
	自動車規格 AEC-Q100
	ワード数 8K
	1ワード当たりのビット数 8
	最大電源電圧 3.6V
	動作温度 Min -40°C

64 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）を論理的に使用します

8 K x 8 として構成

高耐久性の 10 兆（ 1013 ）の読み取り / 書き込み

121 年間のデータ保持（データ保持およびを参照）

耐久性テーブル）

NODELAY ™書き込み

Advanced の高信頼性強誘電体プロセス

超高速シリアルペリフェラルインターフェイス（ SPI ）

周波数：最大 16 MHz

シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です

SPI モード 0 （ 0 、 0 ）及びモード 3 （ 1 、 1 ）をサポート

洗練された書き込み保護スキーム

書き込み保護（ WP ）ピンを使用したハードウェア保護

書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護

1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護

低消費電力

300  A アクティブ電流 @ 1 MHz

6  A （標準）スタンバイ電流 @ +85 ° C

低電圧動作： VDD = 3.0 → 3.6 V

車載用 - E 温度： -40 ° C → +125 ° C

8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ