Infineon FRAMメモリ, 4kbit, SOIC, シリアル-SPI, FM25L04B-GTR

4 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）は、論理的に 512 x 8 として構成されています
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
超高速シリアルペリフェラルインターフェイス（ SPI ）
周波数：最大 20 MHz
シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
SPI モード 0 （ 0 、 0 ）及びモード 3 （ 1 、 1 ）をサポート
洗練された書き込み保護スキーム
書き込み保護（ WP ）ピンを使用したハードウェア保護
書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護
1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
低消費電力
200  A アクティブ電流 @ 1 MHz
スタンバイ電流： 3  A （標準
低電圧動作： VDD = 2.7 → 3.6 V
産業温度： -40 ° C → +85 ° C
パッケージ
8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ
8 ピン薄型デュアルフラットノーリード（ DFN ）パッケージです