インフィニオン FRAMメモリ, 16kbit, SOIC, SPI, FM25L16B-GTR
- RS品番:
- 184-0068
- メーカー型番:
- FM25L16B-GTR
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | ￥203.00 | ￥1,015 |
| 125 - 1195 | ￥194.80 | ￥974 |
| 1200 - 1595 | ￥186.80 | ￥934 |
| 1600 - 1995 | ￥178.80 | ￥894 |
| 2000 + | ￥171.00 | ￥855 |
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- RS品番:
- 184-0068
- メーカー型番:
- FM25L16B-GTR
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 16kbit | |
| 構成 | 2 K x 8ビット | |
| インターフェースタイプ | SPI | |
| データバス幅 | 8bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 20ns | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| 寸法 | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| 長さ | 4.97mm | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| 幅 | 3.98mm | |
| 高さ | 1.48mm | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| 動作供給電圧 Min | 2.7 V | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| ワード数 | 2K | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 16kbit | ||
構成 2 K x 8ビット | ||
インターフェースタイプ SPI | ||
データバス幅 8bit | ||
最大ランダムアクセス時間 20ns | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
ピン数 8 | ||
寸法 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
長さ 4.97mm | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
幅 3.98mm | ||
高さ 1.48mm | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
動作供給電圧 Min 2.7 V | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
ワード数 2K | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
16 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）は、論理的に 2 K x 8 として構成されています
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持（ 12 ページの「データ保持と耐久性」を参照）
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
超高速シリアルペリフェラルインターフェイス（ SPI ）
周波数：最大 20 MHz
シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
SPI モード 0 （ 0 、 0 ）及びモード 3 （ 1 、 1 ）をサポート
洗練された書き込み保護スキーム
書き込み保護（ WP ）ピンを使用したハードウェア保護
書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護
1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
低消費電力
1 MHz で 200 μ A のアクティブ電流
スタンバイ電流： 3 μ A (typ
低電圧動作： VDD = 2.7 → 3.6 V
産業用温度： -40 → +85 ° C
パッケージ
8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ
8 ピン薄型デュアルフラットノーリード（ DFN ）パッケージです
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持（ 12 ページの「データ保持と耐久性」を参照）
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
超高速シリアルペリフェラルインターフェイス（ SPI ）
周波数：最大 20 MHz
シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
SPI モード 0 （ 0 、 0 ）及びモード 3 （ 1 、 1 ）をサポート
洗練された書き込み保護スキーム
書き込み保護（ WP ）ピンを使用したハードウェア保護
書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護
1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
低消費電力
1 MHz で 200 μ A のアクティブ電流
スタンバイ電流： 3 μ A (typ
低電圧動作： VDD = 2.7 → 3.6 V
産業用温度： -40 → +85 ° C
パッケージ
8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ
8 ピン薄型デュアルフラットノーリード（ DFN ）パッケージです
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。