Infineon FRAM, 16 kB, SOIC, SPI, 8-Pin, FM25L16B-GTR

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16 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）は、論理的に 2 K x 8 として構成されています

高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み

151 年間のデータ保持（ 12 ページの「データ保持と耐久性」を参照）

NODELAY ™書き込み

Advanced の高信頼性強誘電体プロセス

超高速シリアルペリフェラルインターフェイス（ SPI ）

周波数：最大 20 MHz

シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です

SPI モード 0 （ 0 、 0 ）及びモード 3 （ 1 、 1 ）をサポート

洗練された書き込み保護スキーム

書き込み保護（ WP ）ピンを使用したハードウェア保護

書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護

1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護

低消費電力

1 MHz で 200 μ A のアクティブ電流

スタンバイ電流： 3 μ A (typ

低電圧動作： VDD = 2.7 → 3.6 V

産業用温度： -40 → +85 ° C

パッケージ

8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ

8 ピン薄型デュアルフラットノーリード（ DFN ）パッケージです

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