Infineon FRAMメモリ, 16kbit, SOIC, シリアル-SPI, FM25C160B-GTR

Cypress Semiconductor FM25C160B は、 Advanced フェロエレクトリックプロセスを採用した 16 K ビット不揮発性メモリです。F-RAM （強誘電体ランダムアクセスメモリ）は不揮発性で、 RAM と同様の読み取りと書き込みを実行します。151 年間の信頼性の高いデータ保持を実現すると同時に、シリアルフラッシュ、 EEPROM 、およびその他の不揮発性メモリによって発生する複雑さ、オーバーヘッド、およびシステムレベルの信頼性の問題を排除します。

16 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）は、論理的に 2 K として構成されています x 8
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持
NODELAY ™書き込み

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