onsemi MOSFETゲートドライバ 6 A SOIC 1 16-Pin 絶縁ゲートドライバ 表面実装
- RS品番:
- 189-0237
- メーカー型番:
- NCV57000DWR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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単価: 購入単位は1000 個
¥580.364
(税抜)
¥638.40
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
1000 - 1000 | ¥580.364 | ¥580,364.00 |
2000 - 9000 | ¥566.258 | ¥566,258.00 |
10000 - 14000 | ¥552.152 | ¥552,152.00 |
15000 - 19000 | ¥538.046 | ¥538,046.00 |
20000 + | ¥523.94 | ¥523,940.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 189-0237
- メーカー型番:
- NCV57000DWR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
データシート
その他
詳細情報
IGBT Miller Plateau 電圧で高電流出力( +4/-6 A )
正確なマッチングで短い伝搬遅延を実現します
ソフトターンオフ時のディサチュレーション
アクティブ Miller クランプ及び負のゲート電圧
高過渡及び電磁耐性
5 kV ガルバニック絶縁
PWM 信号の整合性が向上しています
過負荷及び短絡に対する保護
スプリアスゲートのターンオンを防止
高速スルーレートの高電圧及び高電流スイッチング用途での耐久性を備えています
高電圧と低電圧の側面を分離するガルバニック絶縁により、安全性と保護が得られます
用途
車載用電源
HEV / EV トラクションインバータ
オブリティッシュ
BSG インバータ
PTCヒーター
EV 充電器
正確なマッチングで短い伝搬遅延を実現します
ソフトターンオフ時のディサチュレーション
アクティブ Miller クランプ及び負のゲート電圧
高過渡及び電磁耐性
5 kV ガルバニック絶縁
PWM 信号の整合性が向上しています
過負荷及び短絡に対する保護
スプリアスゲートのターンオンを防止
高速スルーレートの高電圧及び高電流スイッチング用途での耐久性を備えています
高電圧と低電圧の側面を分離するガルバニック絶縁により、安全性と保護が得られます
用途
車載用電源
HEV / EV トラクションインバータ
オブリティッシュ
BSG インバータ
PTCヒーター
EV 充電器
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
出力電流 | 6 A |
供給電圧 | 5V |
ピン数 | 16 |
降下時間 | 15ns |
パッケージタイプ | SOIC |
出力数 | 1 |
上昇時間 | 10ns |
トポロジー | 絶縁ゲートドライバ |
ドライバ数 | 1 |
実装タイプ | 表面実装 |
自動車規格 | AEC-Q100 |
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