onsemi MOSFET NCD57000DWR2G MOSFET 7.8 A 1 SOIC 5 16-Pin 5.5 V 表面

ゲートドライバIC・駆動回路 の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥1,597.00

(税抜)

￥1,756.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年6月04日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 48￥798.50￥1,597
50 - 478￥721.00￥1,442
480 - 638￥643.50￥1,287
640 - 798￥566.00￥1,132
800 +￥488.00￥976

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
186-1543
メーカー型番:
NCD57000DWR2G
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

出力電流

7.8A

ピン数

16

降下時間

15ns

パッケージ型式

SOIC

ドライバタイプ

MOSFET

出力数

5

上昇時間

10ns

最小電源電圧

5V

ドライバ数

1

最大電源電圧

5.5V

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

125°C

規格 / 承認

No

長さ

10.45mm

幅

7.6 mm

高さ

2.4mm

取付タイプ

表面

自動車規格

AEC-Q100

IGBT Miller Plateau 電圧で高電流出力（ +4/-6 A ）

正確なマッチングで短い伝搬遅延を実現します

ソフトターンオフ時のディサチュレーション

アクティブ Miller クランプ及び負のゲート電圧

高過渡及び電磁耐性

5 kV ガルバニック絶縁

システム効率を向上

PWM 信号の整合性が向上しています

過負荷及び短絡に対する保護

スプリアスゲートのターンオンを防止

高速スルーレートの高電圧及び高電流スイッチング用途での耐久性を備えています

高電圧と低電圧の側面を分離するガルバニック絶縁により、安全性と保護が得られます

用途

ソーラーインバータ

モータ制御

UPS

産業用電源

溶接

関連ページ