onsemi MOSFETゲートドライバ 6.5 μ A SOIC 16-Pin

ON Semiconductor NCDV575 シリーズの高電流デュアルチャンネル絶縁型 IGBT / MOSFET ゲートドライバは、 2.5 又は 5 kVrms の内部ガルバニック絶縁が施されており、入力から各出力への絶縁や、 2 つの出力チャンネル間の機能絶縁が施されています。このデバイスは、入力側で 3.3 → 20 V のバイアス電圧及び信号レベル、出力側で最大 32 V のバイアス電圧に対応しています。

設計の柔軟性
一貫したパフォーマンス
高速スイッチング機能
正確なマッチングによる短い伝搬遅延

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