STMicroelectronics STGAP2SICSC MOSFET 1 SO-8W 8-Pin 表面
- RS品番:
- 208-5077
- メーカー型番:
- STGAP2SICSC
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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| 800 - 1920 | ¥286.663 | ¥22,933 |
| 2000 - 3920 | ¥285.763 | ¥22,861 |
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- RS品番:
- 208-5077
- メーカー型番:
- STGAP2SICSC
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージ型式 | SO-8W | |
| ドライバタイプ | MOSFET | |
| ドライバ数 | 1 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
ピン数 8 | ||
パッケージ型式 SO-8W | ||
ドライバタイプ MOSFET | ||
ドライバ数 1 | ||
取付タイプ 表面 | ||
STMicroelectronics STGAP2SICSは、ゲートドライブチャンネルと低電圧制御及びインターフェイス回路の間でガルバニック絶縁を提供するシングルゲートドライバです。4 Aの電流容量とレールツーレール出力を特徴とし、電力変換や産業用モータドライバインバーなどの中 / 高出力用途に適しています。このデバイスには、2種類の構成が用意されています。独立した出力ピンにより、専用のゲート抵抗を使用することでオン / オフを独立して最適化できます。また、シングル出力ピンとミラークランプ機能を備えた構成により、ハーフブリッジトポロジーにおける高速転流時のゲートスパイクを防止します。どちらの構成も、高い柔軟性と外部コンポーネントの材料費用の削減を実現します。
1200Vまでの高電圧レール
ドライバ電流容量: 4 A シンク / ソース @ 25 °C
dV/dt過渡耐性: 全温度範囲で±100 V/ns
総入出力拡散遅延: 75 ns
独立したシンクとソースオプションでゲートドライブを簡単に構成
4 A Miller CLAMP専用ピンオプション
UVLO機能
ゲート駆動電圧最大26V
ヒステリシス付き3.3 V、5 V TTL / CMOS入力
温度シャットダウン保護
スタンバイ機能
6 kVガルバニック絶縁
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