STMicroelectronics MOSFETゲートドライバ SO-8 W 8-Pin ガルバニック絶縁 表面実装
- RS品番:
- 208-5077
- メーカー型番:
- STGAP2SICSC
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 208-5077
- メーカー型番:
- STGAP2SICSC
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージタイプ | SO-8 W | |
| ドライバタイプ | MOSFET | |
| トポロジー | ガルバニック絶縁 | |
| ドライバ数 | 1 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
ピン数 8 | ||
パッケージタイプ SO-8 W | ||
ドライバタイプ MOSFET | ||
トポロジー ガルバニック絶縁 | ||
ドライバ数 1 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
STMicroelectronics STGAP2SICS は、ゲート駆動チャンネルと低電圧制御及びインターフェイス回路間のガルバニック絶縁を提供するシングルゲートドライバです。ゲートドライバの容量は 4 A で、レールツーレール出力となっているため、産業用途での電力変換やモータドライバインバータなど、中出力及び高出力の用途にも適しています。このデバイスには 2 つの異なる構成があります。出力ピンが分離された構成では、専用のゲート抵抗器を使用して、オン / オフを個別に最適化できます。シングル出力ピンと Miller CLAMP 機能を備えた構成により、ハーフブリッジトポロジでの高速コモンテーション時にゲートスパイクを防止します。どちらの構成でも、外付け部品の柔軟性が高く、部品表を削減できます。
高電圧レール:最大 1200 V
ドライバ電流容量: 4 A シンク / ソース @ 25 ° C
dV/dt 過渡耐性: ± 100 V/ns @ 全温度範囲
全体的な入出力伝播遅延: 75 ns
シンクとソースのオプションが独立しているため、ゲート駆動構成が簡単です
4 A Miller CLAMP 専用ピンオプション
UVLO 機能
ゲート駆動電圧:最大 26 V
3.3 V、5 V TTL / CMOS入力、ヒステリシスあり
温度シャットダウン保護
スタンバイ機能
6 kV ガルバニック絶縁
ドライバ電流容量: 4 A シンク / ソース @ 25 ° C
dV/dt 過渡耐性: ± 100 V/ns @ 全温度範囲
全体的な入出力伝播遅延: 75 ns
シンクとソースのオプションが独立しているため、ゲート駆動構成が簡単です
4 A Miller CLAMP 専用ピンオプション
UVLO 機能
ゲート駆動電圧:最大 26 V
3.3 V、5 V TTL / CMOS入力、ヒステリシスあり
温度シャットダウン保護
スタンバイ機能
6 kV ガルバニック絶縁
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
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