Infineon ゲートドライバゲートアイゲートヒンジ, 2出力, 290 mA, 170 ns / 90 ns, 10 V ～ 600V, 8ピン SOIC

このゲートドライバは、高電圧用途でのMOSFETスイッチングのためのデュアルチャンネル制御を提供し、最小10 Vの電源に対応し、最大600 Vの動作を実現します。8ピン表面実装SOICパッケージで提供され、幅広い温度範囲でコンパクトな高電圧MOSFET駆動機能を必要とするユーザー向けです。

• 290 mAの出力電流により、中電力MOSFETに十分なゲートドライブを実現
• 170 nsの立ち上がり時間により、比較的高速なターンオンを実現し、効率的なスイッチングを実現
• 90 nsの落下時間により、タイムリーなターンオフを確保し、重複損失を制限
• 定格600Vまでの動作により、高電圧トポロジーをサポート
• 10V電源で動作し、一般的な制御レールとの互換性を確保
• RoHS準拠により、アセンブリ内の有害物質の懸念を軽減

• 高電圧スイッチング電源に最適
• コンバーターのハーフブリッジMOSFET配置に使用
• 産業用モータドライブゲート制御に最適
• 力率補正ステージゲート駆動に使用
• 絶縁ゲートドライブ実装に使用可能

表面実装用に設計された8ピンSOICパッケージで提供されます。

このデバイスは、-40°C～125°Cの極端な動作温度範囲で動作します。

デュアルMOSFET制御用の2つの出力を備えています。

自動車規格のデバイスとして分類されていません。