Infineon ゲートドライバゲートアイゲートヒンジ, 2出力, 290 mA, 120 ns / 60 ns, 10 V ～ 20V, 8ピン SOIC

このゲートドライバは、低電圧制御ロジックとパワートランジスタをインターフェースするように設計されたデュアル出力MOSFETドライバで、コンパクトアセンブリの表面実装用途向けに、中程度の供給範囲でゲートドライブを提供します。

• 10V の最小電源により、低電圧レールからの動作が可能
• 最大20V電源により、高いゲートドライブ要件に対応
• 290mAの出力電流により、高電流スイッチング機能を実現
• 120nsの立ち上がり時間により、中速ターンオントランジングをサポート
• 60nsの落下時間により、スイッチング損失を低減する迅速なターンオフを実現
• 8ピンSOICパッケージにより、基板の配置とはんだ付けを簡素化

• デュアルチャンネルパワーステージゲート制御に最適
• コンパクトな表面実装型電力コンバータに最適
• ミディアムドライブ電流を必要とするMOSFETと併用
• 同期スイッチング段階に使用可能
• 温度範囲が広いゲート駆動に使用

-40°C～150°Cで動作するため、幅広い熱環境で使用できます。

このデバイスは、プリント基板へのリフローはんだ付け用に設計された表面実装SOICパッケージで提供されます。

2つの出力を備えているため、2つのMOSFETゲートを独立して駆動できます。

このコンポーネントは、スペースを重視したレイアウトに適した8ピンSOICアウトラインです。

MOSFETゲートドライバとして機能し、電源およびロジック入力をゲートドライブ信号に変換します。