STMicroelectronics MOSFET MOSFET 4 A SO-36W 36-Pin 5.5 V

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RS品番:
239-5533
メーカー型番:
STGAP2SICDTR
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

出力電流

4A

ピン数

36

降下時間

30ns

パッケージ型式

SO-36W

ドライバタイプ

MOSFET

最小電源電圧

3.1V

最大電源電圧

5.5V

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

125°C

規格 / 承認

No

シリーズ

STGAP

自動車規格

なし

STMicroelectronics STGAP2SiCDは、各々のゲート駆動チャンネルと低電圧制御、およびインタフェース回路間を、ガルバニック絶縁するSiC MOSFET用のデュアルゲートドライバです。4A駆動電流とレールツーレール出力を特徴としており、電力変換および産業用モータドライバインバータといったの中 / 高出力用途に適しています。独立した出力ピンにより、専用のゲート抵抗を使用することでオン / オフを独立して最適化できます。また、ミラーCLAMP機能により、ハーフブリッジトポロジーにおける高速転流時のゲートスパイクを回避できます。このデバイスには保護機能が統合されており、専用のSDピンとブレーキピンが用意されています、UVLOとサーマルシャットダウン機能により、高信頼性システムを簡単に設計できます。

4 Aミラークランプ

UVLO機能

設定可能なインターロック機能

専用SD及びブレーキピン

ゲート駆動電圧: 最大26 V

ヒステリシス付き3.3 V、5 V TTL / CMOS入力

サーマルシャットダウン保護

スタンバイ機能

6 kVガルバニック絶縁

ワイドボディSO-36W

ハーフブリッジトポロジーでは、インターロック機能により、誤った論理入力コマンドによるシュートスルー状態を回避し、出力が同時に高くなることを防ぎます。インターロック機能は専用の設定ピンで無効化できるため、2つのチャンネルを個別またはパラレルに動作可能です。入力-出力の伝播遅延結果は75 ns以内に収まっており、高いPWM制御精度を実現します。待機時の消費電力を削減するために、スタンバイモードが用意されています。

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