onsemi TO-247 IGBT, Nチャンネル 1200 V, 60 A, 3-Pin
- RS品番:
- 124-5386
- メーカー型番:
- NGTB30N120LWG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
取扱終了
在庫限りでお取扱いは終了致します。
- RS品番:
- 124-5386
- メーカー型番:
- NGTB30N120LWG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 最大連続コレクタ電流 | 60 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| トランジスタ数 | 1 | |
| 最大パワー消費 | 260 W | |
| パッケージタイプ | TO-247 | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| チャンネルタイプ | N | |
| ピン数 | 3 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 寸法 | 16.26 x 5.3 x 21.08mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
最大連続コレクタ電流 60 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 1200 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
トランジスタ数 1 | ||
最大パワー消費 260 W | ||
パッケージタイプ TO-247 | ||
実装タイプ スルーホール | ||
チャンネルタイプ N | ||
ピン数 3 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
寸法 16.26 x 5.3 x 21.08mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
- COO（原産国）:
- CN
IGBTディスクリート、ON Semiconductor
モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)
IGBTディスクリート、ON Semiconductor
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。