onsemi, NGTB25N120FL3WG TO-247 IGBT-ウルトラフィールドストップ, タイプNチャンネル 1200 V, 25 A, 3-Pin スルーホール

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋2個入り) 小計:*

¥2,157.00

(税抜)

¥2,372.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 12 は海外在庫あり
  • 34 2026年6月08日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
購入単位毎合計*
2 - 6¥1,078.50¥2,157
8 - 14¥973.00¥1,946
16 - 18¥867.50¥1,735
20 - 22¥763.00¥1,526
24 +¥658.00¥1,316

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
123-8830
メーカー型番:
NGTB25N120FL3WG
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

最大連続コレクタ電流 Ic

25A

プロダクトタイプ

IGBT-ウルトラフィールドストップ

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

1200V

最大許容損失Pd

349W

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

3

スイッチングスピード

1MHz

動作温度 Min

-55°C

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

1.7V

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

±30 V

動作温度 Max

175°C

シリーズ

Field Stop

長さ

20.8mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

IGBTディスクリート、ON Semiconductor


モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)

IGBTディスクリート、ON Semiconductor


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。