Infineon 62 mmモジュール IGBTモジュール, タイプNチャンネル 1200 V, 300 A, 7-Pin クランプ

ボリュームディスカウント対象商品

1 箱(1箱10個入り) 小計:*

¥142,992.00

(税抜)

¥157,291.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
3,000円未満(税抜)のご注文は、送料500円です。
在庫が表示されていない場合があります。ページの再読み込みをお試しください。
単価
購入単位毎合計*
10 - 10¥14,299.20¥142,992
20 - 90¥14,088.90¥140,889
100 - 140¥13,878.60¥138,786
150 - 190¥13,668.30¥136,683
200 +¥13,458.10¥134,581

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
124-8818
メーカー型番:
FF300R12KE4HOSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

最大連続コレクタ電流 Ic

300A

プロダクトタイプ

IGBTモジュール

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

1200V

最大許容損失Pd

1600W

パッケージ型式

62 mmモジュール

取付タイプ

クランプ

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

7

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

20 V

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2.15V

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

150°C

シリーズ

62mmC

長さ

106.4mm

61.4 mm

高さ

30.9mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO(原産国):
MY

Infineon IGBTモジュール


Infineon

TM

TMTMTM

IGBTディスクリート・モジュール、インフィニオン


絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたはIGBTは、高効率と高速スイッチングを誇る3端子パワー半導体デバイスです。IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとスイッチ用のバイポーラパワートランジスタを1つのデバイスに組み合わせることで、MOSFETのシンプルなゲートドライブ特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせることができます。

関連ページ