Infineon AG-62MM-1 IGBTモジュール, タイプNチャンネル 1200 V, 520 A クランプ

ボリュームディスカウント対象商品

1 トレイ(1トレイ10個入り) 小計:*

¥192,298.00

(税抜)

¥211,527.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2028年2月01日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
10 - 10¥19,229.80¥192,298
20 - 90¥18,947.00¥189,470
100 - 140¥18,664.20¥186,642
150 - 190¥18,381.40¥183,814
200 +¥18,098.60¥180,986

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
166-0900
メーカー型番:
FF450R12KE4HOSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

最大連続コレクタ電流 Ic

520A

プロダクトタイプ

IGBTモジュール

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

1200V

最大許容損失Pd

2400W

パッケージ型式

AG-62MM-1

取付タイプ

クランプ

チャンネルタイプ

タイプN

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

20 V

動作温度 Min

-40°C

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2.15V

動作温度 Max

150°C

シリーズ

62mmC

長さ

106.4mm

規格 / 承認

EN 61140

61.4 mm

高さ

30.9mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
MY

Infineon IGBTモジュール


Infineon

TM

TMTMTM

IGBTディスクリート・モジュール、インフィニオン


絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたはIGBTは、高効率と高速スイッチングを誇る3端子パワー半導体デバイスです。IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとスイッチ用のバイポーラパワートランジスタを1つのデバイスに組み合わせることで、MOSFETのシンプルなゲートドライブ特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせることができます。

関連ページ