- RS品番:
- 125-8051
- メーカー型番:
- IXXK110N65B4H1
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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6 - 11 | ¥2,990.00 |
12 - 15 | ¥2,270.00 |
16 - 19 | ¥1,957.00 |
20 + | ¥1,892.00 |
- RS品番:
- 125-8051
- メーカー型番:
- IXXK110N65B4H1
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
詳細情報
IXYS IGBT ディスクリート
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート&モジュール、IXYS
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
仕様
特性 | |
---|---|
最大連続コレクタ電流 | 570 A |
最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V |
最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
最大パワー消費 | 880 W |
トランジスタ数 | 1 |
パッケージタイプ | TO-264 |
実装タイプ | スルーホール |
チャンネルタイプ | N |
ピン数 | 3 |
スイッチングスピード | 10 → 30kHz |
トランジスタ構成 | シングル |
寸法 | 20.3 x 5.3 x 26.6mm |
動作温度 Max | +175 °C |
エネルギー定格 | 3mJ |
動作温度 Min | -55 °C |
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