onsemi TO-3PN IGBT, タイプNチャンネル 650 V, 120 A, 3-Pin スルーホール
- RS品番:
- 166-2181
- メーカー型番:
- FGA60N65SMD
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 166-2181
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- FGA60N65SMD
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仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 120A | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 650V | |
| 最大許容損失Pd | 600W | |
| パッケージ型式 | TO-3PN | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| ピン数 | 3 | |
| スイッチングスピード | 140ns | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | ±20 V | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 2.5V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| シリーズ | Field Stop | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 120A | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 650V | ||
最大許容損失Pd 600W | ||
パッケージ型式 TO-3PN | ||
取付タイプ スルーホール | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
ピン数 3 | ||
スイッチングスピード 140ns | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO ±20 V | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 2.5V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
シリーズ Field Stop | ||
自動車規格 なし | ||
ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor
IGBTディスクリート / モジュール、Fairchild Semiconductor
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。