onsemi TO-3PN IGBT, Nチャンネル, 650 V, 120 A, 3ピン

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RS品番:
166-2181
メーカー型番:
FGA60N65SMD
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

最大連続コレクタ電流 Ic

120A

プロダクトタイプ

IGBT

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

650V

最大許容損失Pd

600W

パッケージ型式

TO-3PN

取付タイプ

スルーホール

チャンネルタイプ

N

ピン数

3

スイッチングスピード

140ns

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2.5V

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

±20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS Compliant

シリーズ

Field Stop

自動車規格

なし

ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor


IGBTディスクリート / モジュール、Fairchild Semiconductor


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

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