onsemi TO-3PN IGBT, Nチャンネル 650 V, 40 A, 3-Pin
- RS品番:
- 864-8782
- メーカー型番:
- FGA40N65SMD
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
| 2 - 6 | ￥821.00 | ￥1,642 |
| 8 - 14 | ￥794.50 | ￥1,589 |
| 16 - 18 | ￥768.00 | ￥1,536 |
| 20 - 22 | ￥742.00 | ￥1,484 |
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- RS品番:
- 864-8782
- メーカー型番:
- FGA40N65SMD
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 最大連続コレクタ電流 | 40 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| 最大パワー消費 | 349 W | |
| パッケージタイプ | TO-3PN | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| チャンネルタイプ | N | |
| ピン数 | 3 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 寸法 | 16.2 x 5 x 20.1mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
最大連続コレクタ電流 40 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 650 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
最大パワー消費 349 W | ||
パッケージタイプ TO-3PN | ||
実装タイプ スルーホール | ||
チャンネルタイプ N | ||
ピン数 3 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
寸法 16.2 x 5 x 20.1mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート / モジュール、Fairchild Semiconductor
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。