onsemi TO-3PN IGBT, タイプNチャンネル, 650 V, 40 A, 3ピン
- RS品番:
- 864-8782
- メーカー型番:
- FGA40N65SMD
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋2個入り) 小計：*
￥1,824.00
(税抜)
￥2,006.40
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 6 は海外在庫あり
- 416 は 2026年9月03日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 6 | ￥912.00 | ￥1,824 |
| 8 - 14 | ￥882.00 | ￥1,764 |
| 16 - 18 | ￥853.50 | ￥1,707 |
| 20 - 22 | ￥824.00 | ￥1,648 |
| 24 + | ￥796.00 | ￥1,592 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 864-8782
- メーカー型番:
- FGA40N65SMD
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 40A | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 650V | |
| 最大許容損失Pd | 349W | |
| パッケージ型式 | TO-3PN | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 2.5V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| シリーズ | Field Stop | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 40A | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 650V | ||
最大許容損失Pd 349W | ||
パッケージ型式 TO-3PN | ||
取付タイプ スルーホール | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
ピン数 3 | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 2.5V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
シリーズ Field Stop | ||
自動車規格 なし | ||
ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor
IGBTディスクリート / モジュール、Fairchild Semiconductor
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。