Infineon AG-62MM-2 IGBTモジュール, タイプNチャンネル 1200 V, 700 A クランプ
- RS品番:
- 166-1097
- メーカー型番:
- FZ600R12KS4HOSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
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￥255,646.00
(税抜)
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | ￥25,564.60 | ￥255,646 |
| 20 - 90 | ￥25,188.60 | ￥251,886 |
| 100 - 140 | ￥24,812.70 | ￥248,127 |
| 150 - 190 | ￥24,436.70 | ￥244,367 |
| 200 + | ￥24,060.80 | ￥240,608 |
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- RS品番:
- 166-1097
- メーカー型番:
- FZ600R12KS4HOSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | IGBTモジュール | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 700A | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 1200V | |
| 最大許容損失Pd | 3900W | |
| パッケージ型式 | AG-62MM-2 | |
| 取付タイプ | クランプ | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| スイッチングスピード | 0.06μs | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 3.85V | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | 20 V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| シリーズ | FZ600R12KS4 | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 106.4mm | |
| 高さ | 36.5mm | |
| 幅 | 61.4 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ IGBTモジュール | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 700A | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 1200V | ||
最大許容損失Pd 3900W | ||
パッケージ型式 AG-62MM-2 | ||
取付タイプ クランプ | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
スイッチングスピード 0.06μs | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 3.85V | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO 20 V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 125°C | ||
シリーズ FZ600R12KS4 | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 106.4mm | ||
高さ 36.5mm | ||
幅 61.4 mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- HU
Infineon IGBTモジュール
Infineon
TM
TMTMTM
IGBTディスクリート・モジュール、インフィニオン
絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたはIGBTは、高効率と高速スイッチングを誇る3端子パワー半導体デバイスです。IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとスイッチ用のバイポーラパワートランジスタを1つのデバイスに組み合わせることで、MOSFETのシンプルなゲートドライブ特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせることができます。