onsemi TO-3PN IGBT, Nチャンネル 650 V, 120 A, 3-Pin
- RS品番:
- 864-8795
- メーカー型番:
- FGA60N65SMD
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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在庫限り。入荷未定。
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 6 | ￥988 |
| 7 - 13 | ￥939 |
| 14 - 18 | ￥888 |
| 19 - 24 | ￥840 |
| 25 + | ￥791 |
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- RS品番:
- 864-8795
- メーカー型番:
- FGA60N65SMD
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 最大連続コレクタ電流 | 120 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| 最大パワー消費 | 600 W | |
| パッケージタイプ | TO-3PN | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| チャンネルタイプ | N | |
| ピン数 | 3 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 寸法 | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
最大連続コレクタ電流 120 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 650 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
最大パワー消費 600 W | ||
パッケージタイプ TO-3PN | ||
実装タイプ スルーホール | ||
チャンネルタイプ N | ||
ピン数 3 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
寸法 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート / モジュール、Fairchild Semiconductor
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。