IXYS SOT-227B IGBT, Nチャンネル 1200 V, 100 A, 4-Pin
- RS品番:
- 168-4763
- メーカー型番:
- IXA70I1200NA
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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|---|---|---|
| 10 - 40 | ￥5,451.40 | ￥54,514 |
| 50 - 90 | ￥5,342.40 | ￥53,424 |
| 100 - 240 | ￥5,058.20 | ￥50,582 |
| 250 - 490 | ￥4,916.10 | ￥49,161 |
| 500 + | ￥4,771.90 | ￥47,719 |
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- RS品番:
- 168-4763
- メーカー型番:
- IXA70I1200NA
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| 最大連続コレクタ電流 | 100 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| 最大パワー消費 | 350 W | |
| パッケージタイプ | SOT-227B | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| チャンネルタイプ | N | |
| ピン数 | 4 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 寸法 | 38.23 x 25.25 x 9.6mm | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 動作温度 Max | +125 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
最大連続コレクタ電流 100 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 1200 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
最大パワー消費 350 W | ||
パッケージタイプ SOT-227B | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
チャンネルタイプ N | ||
ピン数 4 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
寸法 38.23 x 25.25 x 9.6mm | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
動作温度 Max +125 °C | ||
- COO（原産国）:
- US
IGBTディスクリート、IXYS XPTシリーズ
IXYSのXPT™シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。 これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。
高電力密度及び低VCE (sat)
逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成
10 μsの短絡耐量
オン状態電圧の正温度係数
オプションのSonic-FRD™又はHiPerFRED™ダイオード付属
国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成
10 μsの短絡耐量
オン状態電圧の正温度係数
オプションのSonic-FRD™又はHiPerFRED™ダイオード付属
国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート&モジュール、IXYS
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。