東芝電池 TO-220SIS IGBT, タイプNチャンネル, 600 V, 15 A, 3ピン
- RS品番:
- 168-7763
- メーカー型番:
- GT15J341
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
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- RS品番:
- 168-7763
- メーカー型番:
- GT15J341
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Toshiba | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 15A | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 600V | |
| パッケージ型式 | TO-220SIS | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | 25 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Toshiba | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 15A | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 600V | ||
パッケージ型式 TO-220SIS | ||
取付タイプ スルーホール | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
ピン数 3 | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO 25 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
- COO（原産国）:
- JP
東芝 IGBT ディスクリート
IGBTディスクリート&モジュール、東芝
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。