Toshiba TO-3P IGBT, Nチャンネル, 600 V, 50 A, 3ピン
- RS品番:
- 168-7767
- メーカー型番:
- GT50JR21
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
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- RS品番:
- 168-7767
- メーカー型番:
- GT50JR21
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Toshiba | |
| パッケージ型式 | TO-3P | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 (Vceo) | 600 V | |
| 最大連続コレクタ電流 (Ic) | 50 A | |
| ピン数 | 3 | |
| 自動車規格 | なし | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 (Vce(SAT)) | 2 V | |
| 最大ゲートエミッタ電圧(VGEO) | 25 V | |
| 動作温度 (Max) | 175 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 230 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | スルーホール, スルーホール | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Toshiba | ||
パッケージ型式 TO-3P | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大コレクタエミッタ電圧 (Vceo) 600 V | ||
最大連続コレクタ電流 (Ic) 50 A | ||
ピン数 3 | ||
自動車規格 なし | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 (Vce(SAT)) 2 V | ||
最大ゲートエミッタ電圧(VGEO) 25 V | ||
動作温度 (Max) 175 °C | ||
最大許容損失(Pd) 230 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ スルーホール, スルーホール | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
- COO（原産国）:
- JP
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.