インフィニオン EASY1B IGBTモジュール, Nチャンネル 1200 V, 20 A, 23-Pin
- RS品番:
- 168-8768
- メーカー型番:
- FP10R12W1T4B11BOMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 24 - 96 | ￥3,832.208 | ￥91,973 |
| 120 - 216 | ￥3,793.167 | ￥91,036 |
| 240 - 576 | ￥3,717.708 | ￥89,225 |
| 600 - 1176 | ￥3,643.333 | ￥87,440 |
| 1200 + | ￥3,570.417 | ￥85,690 |
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- RS品番:
- 168-8768
- メーカー型番:
- FP10R12W1T4B11BOMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| 最大連続コレクタ電流 | 20 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| 最大パワー消費 | 105 W | |
| パッケージタイプ | EASY1B | |
| 回路構成 | コモンコレクタ | |
| 実装タイプ | 基板実装 | |
| チャンネルタイプ | N | |
| ピン数 | 23 | |
| スイッチングスピード | 1MHz | |
| トランジスタ構成 | 3相 | |
| 寸法 | 48 x 33.8 x 12mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
最大連続コレクタ電流 20 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 1200 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
最大パワー消費 105 W | ||
パッケージタイプ EASY1B | ||
回路構成 コモンコレクタ | ||
実装タイプ 基板実装 | ||
チャンネルタイプ N | ||
ピン数 23 | ||
スイッチングスピード 1MHz | ||
トランジスタ構成 3相 | ||
寸法 48 x 33.8 x 12mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
- COO（原産国）:
- CN
Infineon IGBTモジュール
Infineon シリーズの IGBTモジュールは、最高60 Khzの切り替えに対する低スイッチング損失を実現します。
このIGBTの用途は、 様々な電源モジュールに跨っており、1200Vのコレクタ / エミッタ電圧を備えたEconoPACK™パッケージ、 最高1600 / 1700VのNTC(負温度特性)を備えたPrimePACK IGBTハーフブリッジチョッパモジュールなどで使われます。PrimePACK IGBTは、産業、商業、建設、農業用車両で使用されています。N チャンネル TRENCHSTOP TM / フィールドストップIGBTモジュールは、インバータ、UPS、産業ドライブなどのハードスイッチングとソフトスイッチングの用途に適しています。
このIGBTの用途は、 様々な電源モジュールに跨っており、1200Vのコレクタ / エミッタ電圧を備えたEconoPACK™パッケージ、 最高1600 / 1700VのNTC(負温度特性)を備えたPrimePACK IGBTハーフブリッジチョッパモジュールなどで使われます。PrimePACK IGBTは、産業、商業、建設、農業用車両で使用されています。N チャンネル TRENCHSTOP TM / フィールドストップIGBTモジュールは、インバータ、UPS、産業ドライブなどのハードスイッチングとソフトスイッチングの用途に適しています。
パッケージスタイルの内容: 62 mmモジュール、EasyPACK、EconoPACK TM 2/ EconoPACK TM 3/ EconoPACK TM 4.
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート&モジュール、Infineon
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。