Vishay IGBT, SUD08P06-155L-GE3

Vishay MOSFET は、 P チャンネル、 TO-252-3 パッケージで、ドレインソース電圧が 60 V 、最大ゲートソース電圧が 20 V の新時代製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 52 mhm です。MOSFET の最大消費電力は 20.8 W です。 ポータブルデバイスの負荷スイッチで使用できます。この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

•ハロゲンフリーおよび鉛フリーのコンポーネント
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C
• TrenchFET パワー MOSFET

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