Vishay, SUD08P06-155L-GE3 TO-252 IGBT, タイプPチャンネル, 3-Pin 表面
- RS品番:
- 180-8117
- メーカー型番:
- SUD08P06-155L-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
| 20 - 80 | ￥157.90 | ￥3,158 |
| 100 - 880 | ￥139.55 | ￥2,791 |
| 900 - 1180 | ￥121.10 | ￥2,422 |
| 1200 - 1580 | ￥102.85 | ￥2,057 |
| 1600 + | ￥84.45 | ￥1,689 |
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- RS品番:
- 180-8117
- メーカー型番:
- SUD08P06-155L-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| 最大許容損失Pd | 20.8W | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| ピン数 | 3 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | 20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS-compliant | |
| 高さ | 2.38mm | |
| 長さ | 6.22mm | |
| 幅 | 6.73 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
最大許容損失Pd 20.8W | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
ピン数 3 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO 20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS-compliant | ||
高さ 2.38mm | ||
長さ 6.22mm | ||
幅 6.73 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay
Vishay MOSFET は、 P チャンネル、 TO-252-3 パッケージで、ドレインソース電圧が 60 V 、最大ゲートソース電圧が 20 V の新時代製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 52 mhm です。MOSFET の最大消費電力は 20.8 W です。 ポータブルデバイスの負荷スイッチで使用できます。この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。
特長と利点
•ハロゲンフリーおよび鉛フリーのコンポーネント
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C
• TrenchFET パワー MOSFET