Vishay IGBT, SIA433EDJ-T1-GE3

Vishay 表面実装 P チャンネル PowerPak-SC70-6 MOSFET は、ドレインソース電圧が 20 V 、最大ゲートソース電圧が 12 V の新製品です。ゲートソース電圧 4.5 V で 18 mhms のドレインソース抵抗を備えています。最大消費電力は 19 W 、連続ドレイン電流は 12 A です。最小駆動電圧は 1.8 V 、最大駆動電圧は 4.5 V です。この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

•ツェナーダイオードによる ESD 保護機能を内蔵
• ハロゲンフリー
•鉛（ Pb ）フリーコンポーネント
•低オン抵抗
•熱特性が強化された新しい PowerPak SC-70 パッケージ
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C
•設置面積が小さい
• TrenchFET パワー MOSFET
•一般的な ESD 性能は 1800 V です

•バッテリースイッチ
•充電器スイッチ
•負荷スイッチ
• 携帯デバイス

• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• Rg テスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。