Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 9 A, 表面 パッケージPowerPAK SC-70, SIA4265EDJ-T1-GE3

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RS品番:
239-5367
メーカー型番:
SIA4265EDJ-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

PowerPAK SC-70

シリーズ

SIA

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.032Ω

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13.8nC

最大許容損失Pd

15.6W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

Vishay PチャンネルMOSFETのドレイン電流は-9 Aです。ロードスイッチ、バッテリスイッチ、充電器スイッチに使用されます。

100 %Rgテスト済み

耐熱強化済みPowerPAK®SC-70パッケージ

小さなフットプリント面積

低オン抵抗

標準ESD保護: 3000 V (HBM)

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