Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 9 A, 表面 パッケージPowerPAK SC-70, SIA4265EDJ-T1-GE3
- RS品番:
- 239-5367
- メーカー型番:
- SIA4265EDJ-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ￥23.463 | ￥70,389 |
| 15000 - 27000 | ￥23.006 | ￥69,018 |
| 30000 - 72000 | ￥22.33 | ￥66,990 |
| 75000 - 147000 | ￥21.633 | ￥64,899 |
| 150000 + | ￥20.948 | ￥62,844 |
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- RS品番:
- 239-5367
- メーカー型番:
- SIA4265EDJ-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| シリーズ | SIA | |
| パッケージ型式 | PowerPAK SC-70 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.032Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±8 V | |
| 最大許容損失Pd | 15.6W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 13.8nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
シリーズ SIA | ||
パッケージ型式 PowerPAK SC-70 | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.032Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±8 V | ||
最大許容損失Pd 15.6W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13.8nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
Vishay PチャンネルMOSFETのドレイン電流は-9 Aです。ロードスイッチ、バッテリスイッチ、充電器スイッチに使用されます。
100 %Rgテスト済み
耐熱強化済みPowerPAK®SC-70パッケージ
小さなフットプリント面積
低オン抵抗
標準ESD保護: 3000 V (HBM)