onsemi TO-247 IGBT, Pチャンネル 650 V, 200 A, 4-Pin

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納期未定
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梱包形態
RS品番:
181-1929
メーカー型番:
FGH75T65SQDNL4
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

最大連続コレクタ電流

200 A

最大コレクタ- エミッタ間電圧

650 V

最大ゲート-エミッタ間電圧

±20V

トランジスタ数

1

最大パワー消費

375 W

パッケージタイプ

TO-247

実装タイプ

スルーホール

チャンネルタイプ

P

ピン数

4

スイッチングスピード

1MHz

トランジスタ構成

シングル

寸法

15.8 x 5.2 x 22.74mm

エネルギー定格

160mJ

動作温度 Min

-55 °C

動作温度 Max

+175 °C

ゲート静電容量

5100pF

COO（原産国）:
CN
この絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、堅牢でコスト効果の高いフィールドストップIVトレンチ構造を採用しています。また、要求の厳しいスイッチング用途で優れた性能を発揮し、低いオン状態電圧と最小限のスイッチング損失の両方を実現します。さらに、この新しいデバイスは、標準のTO-L247-3Lパッケージと比べてEon損失を大幅に低減できるTO-247-4Lパッケージに収められています。IGBTは、UPS及びソーラー用途に最適です。このデバイスには、順方向電圧が低い、ソフトかつ高速に動作するフリーホイーリングダイオードが同じパッケージに搭載されています。

フィールドストップ技術を採用した非常に効率的なトレンチ
TJmax = 175 °C
ゲート制御の向上によりスイッチング損失を低減
エミッタドライブピンを分離
Eon損失最小のTO-247-4L
高速スイッチング向けに最適化
鉛フリーデバイス
ソーラーインバータ
無停電インバータ電源
中点クランプトポロジ

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