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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	IGBT
	最大コレクタエミッタ電圧 Vceo	650V
	最大許容損失Pd	268W
	パッケージ型式	TO-247-4LD
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートエミッタ電圧VGEO	15 V
	動作温度 Max	175°C
	長さ	15.8mm
	高さ	5.2mm
	規格 / 承認	RoHS
	シリーズ	FGH4L50T65SQD
	幅	22.74 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ IGBT
	最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 650V
	最大許容損失Pd 268W
	パッケージ型式 TO-247-4LD
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートエミッタ電圧VGEO 15 V
	動作温度 Max 175°C
	長さ 15.8mm
	高さ 5.2mm
	規格 / 承認 RoHS
	シリーズ FGH4L50T65SQD
	幅 22.74 mm
	自動車規格なし

Datasheet - FGH4L50T65SQD

ON Semiconductor 650 V、80 A FS4高速IGBTです。これは、Vce(sat)とEoff損失のバランスと制御可能なターンオフVceオーバーシュートにより、最適な性能を提供します。ソーラーインバータ、UPS、EV充電ステーション、ESS、その他の高性能電力変換用途に最適です。

正の温度係数

容易な並列動作

低スイッチング損失

onsemi TO-247-4LD IGBT 650 V, 4-Pin 表面

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