onsemi TO-247 IGBT 1200 V, 80 A
- RS品番:
- 241-0724
- メーカー型番:
- FGH4L40T120LQD
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 24 | ￥980 |
| 25 - 214 | ￥908 |
| 215 - 279 | ￥837 |
| 280 - 359 | ￥766 |
| 360 + | ￥696 |
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- RS品番:
- 241-0724
- メーカー型番:
- FGH4L40T120LQD
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 最大連続コレクタ電流 | 80 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | 20V | |
| トランジスタ数 | 30 | |
| 最大パワー消費 | 153 W | |
| パッケージタイプ | TO-247 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
最大連続コレクタ電流 80 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 1200 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 20V | ||
トランジスタ数 30 | ||
最大パワー消費 153 W | ||
パッケージタイプ TO-247 | ||
ON Semiconductor 1200 V、40 AウルトラフィールドストップIGBTです。このIGBTは、高速スイッチング共パッケージ型ダイオードを使用しているため、EON、IRRM、trrが損失を決定する重要な要因となるハードスイッチング用途に最適です。ウルトラフィールドストップIGBTは、伝導損失が低いデバイス向けに優れたスイッチング損失を実現します。
低VCE(SAT)：1.55 V @ 40 A
EON：1.04 mJ @ 600 V / 40 A
EOFF：1.35 mJ @ 600 V / 40 A
IRRM：41.3 A @ 175 °C 1 A/ns 40 A
EON：1.04 mJ @ 600 V / 40 A
EOFF：1.35 mJ @ 600 V / 40 A
IRRM：41.3 A @ 175 °C 1 A/ns 40 A