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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	IGBT
	最大コレクタエミッタ電圧 Vceo	1200V
	最大許容損失Pd	153W
	パッケージ型式	TO-247
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ゲートエミッタ電圧VGEO	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS
	シリーズ	FGH4L40T120LQD
	高さ	5.2mm
	長さ	15.8mm
	幅	22.7 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ IGBT
	最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 1200V
	最大許容損失Pd 153W
	パッケージ型式 TO-247
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ゲートエミッタ電圧VGEO 20 V
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS
	シリーズ FGH4L40T120LQD
	高さ 5.2mm
	長さ 15.8mm
	幅 22.7 mm
	自動車規格なし

ON Semiconductor 1200 V、40 AウルトラフィールドストップIGBTです。このIGBTは、高速スイッチング共パッケージ型ダイオードを使用しているため、EON、IRRM、trrが損失を決定する重要な要因となるハードスイッチング用途に最適です。ウルトラフィールドストップIGBTは、伝導損失が低いデバイス向けに優れたスイッチング損失を実現します。

低VCE(SAT)：1.55 V @ 40 A

EON：1.04 mJ @ 600 V / 40 A

EOFF：1.35 mJ @ 600 V / 40 A

IRRM：41.3 A @ 175 °C 1 A/ns 40 A

onsemi, FGH4L40T120LQD TO-247 IGBT 1200 V, 4-Pin 表面

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