STMicroelectronics TO IGBT, Nチャンネル 650 V, 40 A, 3-Pin

これらのデバイスは、 Advanced 専有トレンチゲート及びフィールドストップ構造を使用して開発された IGBT です。このデバイスは、新しい HB シリーズ IGBT の一部で、導電損失とスイッチング損失の間に最適な妥協を備えており、あらゆる周波数コンバータの効率を最大限に高めています。さらに、 VCE （ sat ）の温度係数がわずかに高く、パラメータのばらつきが非常に少ないため、並列動作の安全性が向上します。

最大ジャンクション温度： TJ = 175 ° C
高速スイッチングシリーズ
テール電流を最小化
VCE （飽和） = 1.55 V （標準） @ IC = 20 A
パラメータのばらつきが少ない
安全な並列化
低熱抵抗
鉛フリーパッケージ

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