STMicroelectronics TO-3PF IGBT 600 V, 60 A, 3-Pin

IGBT・絶縁ゲートバイポーラトランジスタ の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥1,175.00

(税抜)

￥1,292.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 30 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 6￥587.50￥1,175
8 - 14￥569.50￥1,139
16 - 18￥550.50￥1,101
20 - 22￥531.50￥1,063
24 +￥513.00￥1,026

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
792-5779
メーカー型番:
STGFW30V60DF
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流

60 A

最大コレクタ- エミッタ間電圧

600 V

最大ゲート-エミッタ間電圧

±20V

最大パワー消費

58 W

パッケージタイプ

TO-3PF

実装タイプ

スルーホール

ピン数

3

スイッチングスピード

1MHz

トランジスタ構成

シングル

寸法

15.7 x 5.7 x 26.7mm

動作温度 Max

+175 °C

動作温度 Min

-55 °C

IGBTディスクリート、STMicroelectronics


受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


IGBTディスクリート&モジュール、STMicroelectronics


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

関連ページ