STMicroelectronics TO-247 IGBT, タイプNチャンネル 650 V, 86 A, 3-Pin スルーホール

IGBT・絶縁ゲートバイポーラトランジスタ の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本30個入り) 小計：*

￥9,408.99

(税抜)

￥10,349.88

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 570 は 2026年3月09日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1チューブあたりの価格*
30 - 120￥313.633￥9,409
150 - 270￥310.133￥9,304
300 - 720￥303.933￥9,118
750 - 1470￥297.70￥8,931
1500 +￥291.60￥8,748

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
204-3943
メーカー型番:
STGWA50HP65FB2
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 Ic

86A

プロダクトタイプ

IGBT

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

650V

最大許容損失Pd

272W

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

3

スイッチングスピード

1MHz

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

20 V

動作温度 Max

175°C

高さ

5.1mm

長さ

15.9mm

幅

21.1 mm

規格 / 承認

RoHS

シリーズ

STG

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronics HB2 シリーズ 650 V IGBT は、 Advanced 独自のトレンチゲートフィールドストップ構造を進化させた製品です。HB2 シリーズの性能は、低電流値での VCE （ sat ）の動作の改善、及びスイッチングエネルギーの低減により、導通に関して最適化されています。保護目的で使用されるダイオードは、 IGBT と並行してパッケージされています。その結果、さまざまな高速用途で効率を最大限に高めるように特別に設計された製品になっています。

最大ジャンクション温度： 175 ° C

保護ダイオード一パッケージ

テール電流を最小化

パラメータのばらつきが少ない

低熱抵抗

正の温度係数

関連ページ