STMicroelectronics TO-247 IGBT, Nチャンネル 650 V, 86 A, 3-Pin

STMicroelectronics HB2 シリーズ 650 V IGBT は、 Advanced 独自のトレンチゲートフィールドストップ構造を進化させた製品です。HB2 シリーズの性能は、低電流値での VCE （ sat ）の動作の改善、及びスイッチングエネルギーの低減により、導通に関して最適化されています。保護目的で使用されるダイオードは、 IGBT と並行してパッケージされています。その結果、さまざまな高速用途で効率を最大限に高めるように特別に設計された製品になっています。

最大ジャンクション温度： 175 ° C
保護ダイオード一パッケージ
テール電流を最小化
パラメータのばらつきが少ない
低熱抵抗
正の温度係数

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。