STMicroelectronics, STGWA80H65DFBAG TO-247 IGBT 650 V, 80 A, 3-Pin
- RS品番:
- 261-5072
- メーカー型番:
- STGWA80H65DFBAG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
取扱停止中
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- RS品番:
- 261-5072
- メーカー型番:
- STGWA80H65DFBAG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 80A | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 650V | |
| 最大許容損失Pd | 535W | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 15V | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | ±20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 21 mm | |
| 高さ | 5mm | |
| 長さ | 15.8mm | |
| シリーズ | STGWA | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 80A | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 650V | ||
最大許容損失Pd 535W | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
ピン数 3 | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 15V | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO ±20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 21 mm | ||
高さ 5mm | ||
長さ 15.8mm | ||
シリーズ STGWA | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
STMicroelectronics IGBTは、高度な独自のトレンチゲートフィールドストップ構造を使用して開発されています。このデバイスは、新しいHBシリーズのIGBTの一部で、伝導とスイッチング損失の間の最適な妥協を示し、あらゆる周波数コンバータの効率を最大化します。さらに、わずかにポジティブなVCE(sat) 温度係数と非常に狭いパラメータ分布により、より安全な並列動作を実現します。
AEC-Q101認定
高速スイッチングシリーズ
最大ジャンクション温度TJ: 175 °C
テール電流を最小限に抑える
狭いパラメータ分布
正温度VCE(sat)係数
ソフトで非常に高速な回復アンチパラレルダイオード
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