Infineon IGBTモジュール, 1.2 kV
- RS品番:
- 244-5385
- メーカー型番:
- FP15R12W1T4BOMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 24 - 96 | ￥5,902.667 | ￥141,664 |
| 120 - 216 | ￥5,796.667 | ￥139,120 |
| 240 - 576 | ￥5,690.583 | ￥136,574 |
| 600 - 1176 | ￥5,584.583 | ￥134,030 |
| 1200 + | ￥5,478.50 | ￥131,484 |
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- RS品番:
- 244-5385
- メーカー型番:
- FP15R12W1T4BOMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | IGBTモジュール | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 1.2kV | |
| トランジスタ数 | 7 | |
| 最大許容損失Pd | 130W | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | 20 V | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 2.25V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| シリーズ | FP15R12W1T4B | |
| 幅 | 33.8mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 12mm | |
| 長さ | 62.8mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ IGBTモジュール | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 1.2kV | ||
トランジスタ数 7 | ||
最大許容損失Pd 130W | ||
動作温度 Min -40°C | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO 20 V | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 2.25V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
シリーズ FP15R12W1T4B | ||
幅 33.8mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 12mm | ||
長さ 62.8mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon FP15R12W1T4BシリーズIGBTモジュール、1200Vコレクタエミッタ電圧、130W消費電力 - FP15R12W1T4BOMA1
このIGBTモジュールは、産業用パワーエレクトロニクスの高電圧DC負荷を切り替えて制御するために設計されたパワー半導体アセンブリです。過酷な熱および電気環境に対応する制御スイッチング機能を備え、幅広い温度範囲で動作し、RoHS要件に適合しています。
特長：
• 1200 VのVceo定格により、高電圧スイッチング機能を実現
• 最大130Wの消費電力により、持続的な熱負荷処理が可能
• 最大20 Vのゲートエミッタ耐性により、堅牢なゲートドライブマージンをサポート
• 2.25 Vのコレクタ-エミッタ飽和により、導通損失を低減
• 7つのトランジスタにより、1つのパッケージでマルチデバイススイッチングを実現
• 最大130Wの消費電力により、持続的な熱負荷処理が可能
• 最大20 Vのゲートエミッタ耐性により、堅牢なゲートドライブマージンをサポート
• 2.25 Vのコレクタ-エミッタ飽和により、導通損失を低減
• 7つのトランジスタにより、1つのパッケージでマルチデバイススイッチングを実現
用途
• 産業用モータ駆動インバータ段に適合
• 高電圧DC-DC変換システムに使用
• 力率補正およびソフトスイッチング段階に最適
• 公益事業のスイッチング電源に使用可能
• 中周波トラクションおよび産業用コンバータに使用
• 高電圧DC-DC変換システムに使用
• 力率補正およびソフトスイッチング段階に最適
• 公益事業のスイッチング電源に使用可能
• 中周波トラクションおよび産業用コンバータに使用
どのような周囲温度で確実に動作できますか?
-40°C～150°Cで動作します。
このモジュールは、有害物質の制限にどのように対応していますか?
制限材料に関するRoHS指令に準拠して製造されています。
外部取り付けスペースに関する考慮事項は?
このパッケージの寸法は33.8 x 62.8 x 12 mmで、フットプリントと高さ設計に適しています。
このパッケージには、どのくらいの半導体スイッチが内蔵されていますか?
構造には7個の個別トランジスタが含まれています。
負荷下ではどのような伝導性能が期待できますか?
伝導時に最大2.25 Vのコレクタエミッタ飽和電圧を期待できます。