Infineon IGBTモジュール, 1.2 kV

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梱包形態
RS品番:
244-5387
メーカー型番:
FP15R12W1T4BOMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

IGBTモジュール

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

1.2kV

トランジスタ数

7

最大許容損失Pd

130W

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2.25V

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

20 V

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

150°C

幅

33.8mm

規格 / 承認

RoHS

高さ

12mm

長さ

62.8mm

シリーズ

FP15R12W1T4B

自動車規格

なし

Infineon FP15R12W1T4BシリーズIGBTモジュール、1200Vコレクタエミッタ電圧、130W消費電力 - FP15R12W1T4BOMA1


このIGBTモジュールは、産業用パワーエレクトロニクスの高電圧DC負荷を切り替えて制御するために設計されたパワー半導体アセンブリです。過酷な熱および電気環境に対応する制御スイッチング機能を備え、幅広い温度範囲で動作し、RoHS要件に適合しています。

特長:


• 1200 VのVceo定格により、高電圧スイッチング機能を実現
• 最大130Wの消費電力により、持続的な熱負荷処理が可能
• 最大20 Vのゲートエミッタ耐性により、堅牢なゲートドライブマージンをサポート
• 2.25 Vのコレクタ-エミッタ飽和により、導通損失を低減
• 7つのトランジスタにより、1つのパッケージでマルチデバイススイッチングを実現

用途


• 産業用モータ駆動インバータ段に適合
• 高電圧DC-DC変換システムに使用
• 力率補正およびソフトスイッチング段階に最適
• 公益事業のスイッチング電源に使用可能
• 中周波トラクションおよび産業用コンバータに使用

どのような周囲温度で確実に動作できますか?


-40°C~150°Cで動作します。

このモジュールは、有害物質の制限にどのように対応していますか?


制限材料に関するRoHS指令に準拠して製造されています。

外部取り付けスペースに関する考慮事項は?


このパッケージの寸法は33.8 x 62.8 x 12 mmで、フットプリントと高さ設計に適しています。

このパッケージには、どのくらいの半導体スイッチが内蔵されていますか?


構造には7個の個別トランジスタが含まれています。

負荷下ではどのような伝導性能が期待できますか?


伝導時に最大2.25 Vのコレクタエミッタ飽和電圧を期待できます。

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