インフィニオン HybridPACK IGBTモジュール 750 V, 950 A
- RS品番:
- 244-5879
- メーカー型番:
- FS950R08A6P2BBPSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 244-5879
- メーカー型番:
- FS950R08A6P2BBPSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| 最大連続コレクタ電流 | 950 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 750 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| 最大パワー消費 | 870W | |
| トランジスタ数 | 6 | |
| パッケージタイプ | HybridPACK | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
最大連続コレクタ電流 950 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 750 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
最大パワー消費 870W | ||
トランジスタ数 6 | ||
パッケージタイプ HybridPACK | ||
Infineon IGBTモジュールは、ハイブリッド車両と電気車両向けに最適化された非常にコンパクトな6パックモジュール(750 V/950 A)です。このパワーモジュールは、電気駆動系アプリケーションに最適化された車載用マイクロパターントレンチフィールドストップセル設計である新世代のEDT2 IGBTを実装しています。このチップセットは、高いベンチマークの電流密度、短絡耐久性、改善された阻止電圧を持ち、過酷な環境条件下で信頼性の高いインバータ動作を実現します。EDT2 IGBTは、優れた軽負荷電力損失を示し、実際のドライブサイクルのシステム効率を向上させることができます。EDT2 IGBTは、スイッチング周波数が10kHzの範囲にあるアプリケーションに最適化されています。
電気的特性:
阻止電圧:750 V
低VCEsat飽和電圧
低スイッチング損失
低QgとCres
低誘導型設計Tvj op = 150 °C
短時間延長動作温度 Tvj op = 175 °
機械的特性:
4.2 kV DC 1秒 絶縁耐圧
長い縁面/空間距離
コンパクトな設計
高い電力密度
直接冷却ピンフィンベースプレート
基板と冷却アセンブリ用のガイドエレメント
内蔵NTC温度センサ
プレスフィットコンタクト技術
RoHS準拠
UL 94 V0モジュールフレーム
阻止電圧:750 V
低VCEsat飽和電圧
低スイッチング損失
低QgとCres
低誘導型設計Tvj op = 150 °C
短時間延長動作温度 Tvj op = 175 °
機械的特性:
4.2 kV DC 1秒 絶縁耐圧
長い縁面/空間距離
コンパクトな設計
高い電力密度
直接冷却ピンフィンベースプレート
基板と冷却アセンブリ用のガイドエレメント
内蔵NTC温度センサ
プレスフィットコンタクト技術
RoHS準拠
UL 94 V0モジュールフレーム
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