Infineon 62 mmモジュール IGBTモジュール, タイプNチャンネル 1200 V, 320 A, 3-Pin クランプ

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RS品番:
761-3754
メーカー型番:
FF200R12KT4HOSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

IGBTモジュール

最大連続コレクタ電流 Ic

320A

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

1200V

最大許容損失Pd

1100W

パッケージ型式

62 mmモジュール

取付タイプ

クランプ

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

3

動作温度 Min

-40°C

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2.15V

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

EN 61140

シリーズ

62mmC

幅

61.4 mm

高さ

30.9mm

長さ

106.4mm

自動車規格

なし

Infineon IGBTモジュール


Infineon シリーズの IGBTモジュールは、最高60 Khzの切り替えに対する低スイッチング損失を実現します。

このIGBTの用途は、 様々な電源モジュールに跨っており、1200Vのコレクタ / エミッタ電圧を備えたEconoPACK™パッケージ、 最高1600 / 1700VのNTC(負温度特性)を備えたPrimePACK IGBTハーフブリッジチョッパモジュールなどで使われます。PrimePACK IGBTは、産業、商業、建設、農業用車両で使用されています。N チャンネル TRENCHSTOP TM / フィールドストップIGBTモジュールは、インバータ、UPS、産業ドライブなどのハードスイッチングとソフトスイッチングの用途に適しています。

パッケージスタイルの内容: 62 mmモジュール、EasyPACK、EconoPACK TM 2/ EconoPACK TM 3/ EconoPACK TM 4.

IGBTディスクリート&モジュール、Infineon


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

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