STMicroelectronics, STGB10NC60HDT4 TO-263 IGBT, タイプNチャンネル 600 V, 20 A, 3-Pin 表面

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計:*

¥1,869.00

(税抜)

¥2,055.90

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫情報に現在アクセスできません - 後ほどご確認ください
単価
購入単位毎合計*
5 - 45¥373.80¥1,869
50 - 470¥335.20¥1,676
475 - 595¥295.20¥1,476
600 - 795¥257.00¥1,285
800 +¥218.60¥1,093

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
795-7041
メーカー型番:
STGB10NC60HDT4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 Ic

20A

プロダクトタイプ

IGBT

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

600V

最大許容損失Pd

65W

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

3

スイッチングスピード

1MHz

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2.5V

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

±20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

10.4mm

高さ

4.6mm

9.35 mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

IGBTディスクリート、STMicroelectronics


IGBTディスクリート&モジュール、STMicroelectronics


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

関連ページ