- RS品番:
- 204-9867
- メーカー型番:
- STGB30H65DFB2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
一時的な在庫切れ - 2025/05/01に入荷し、その後4営業日でお届け予定
追加されました
単価: 購入単位は1000 個
¥230.769
(税抜)
¥253.846
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
1000 - 1000 | ¥230.769 | ¥230,769.00 |
2000 - 9000 | ¥226.154 | ¥226,154.00 |
10000 - 14000 | ¥221.631 | ¥221,631.00 |
15000 - 19000 | ¥217.199 | ¥217,199.00 |
20000 + | ¥212.855 | ¥212,855.00 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 204-9867
- メーカー型番:
- STGB30H65DFB2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
- COO(原産国):
- CN
詳細情報
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 シリーズは、 Advanced 独自のトレンチゲートフィールドストップ構造を進化させた製品です。HB2 シリーズの性能は、低電流値での VCE ( sat )の動作の改善、及びスイッチングエネルギーの低減により、導通に関して最適化されています。
最大ジャンクション温度: TJ = 175 ° C
低 VCE (飽和) = 1.65 V (標準) @IC = 30 A
非常に高速でソフトなリカバリの共パッケージダイオード
テール電流を最小化
パラメータのばらつきが少ない
低 VCE (飽和) = 1.65 V (標準) @IC = 30 A
非常に高速でソフトなリカバリの共パッケージダイオード
テール電流を最小化
パラメータのばらつきが少ない
仕様
特性 | |
---|---|
最大連続コレクタ電流 | 50 A |
最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V |
最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
トランジスタ数 | 1 |
最大パワー消費 | 167 W |
パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
ピン数 | 3 |
関連ページ
- STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 420 V 30 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) シングル
- STMicroelectronics IGBT 650 V 50 A, 3-Pin TO-247 1
- STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 425 V 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) シングル
- STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 375 V 20 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) シングル
- STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 20 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) シングル
- STMicroelectronics IGBT 650 V 86 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) 1
- STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 10 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) シングル
- STMicroelectronics IGBT 650 V 60 A H2PAK-2 1