STMicroelectronics D2PAK (TO-263) IGBT 650 V, 50 A, 3-Pin

STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 シリーズは、 Advanced 独自のトレンチゲートフィールドストップ構造を進化させた製品です。HB2 シリーズの性能は、低電流値での VCE （ sat ）の動作の改善、及びスイッチングエネルギーの低減により、導通に関して最適化されています。

最大ジャンクション温度： TJ = 175 ° C
低 VCE （飽和） = 1.65 V （標準） @IC = 30 A
非常に高速でソフトなリカバリの共パッケージダイオード
テール電流を最小化
パラメータのばらつきが少ない

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。