Fairchild Semiconductor, ISL9V3040S3ST TO-263 IGBT, タイプNチャンネル 430 V, 21 A, 3-Pin 表面

IGBT・絶縁ゲートバイポーラトランジスタ の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

40個小計 (リールカット)*

￥21,992.00

(税抜)

￥24,191.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 485 は 2026年3月16日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
40 - 370￥549.80
375 - 495￥494.40
500 - 595￥437.60
600 +￥380.80

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
862-9353P
メーカー型番:
ISL9V3040S3ST
メーカー/ブランド名:
Fairchild Semiconductor
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Fairchild Semiconductor

プロダクトタイプ

IGBT

最大連続コレクタ電流 Ic

21A

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

430V

最大許容損失Pd

150W

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

3

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

±10 V

動作温度 Min

-40°C

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

1.6V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

シリーズ

EcoSPARK

エネルギー定格

300mJ

自動車規格

AEC-Q101

ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor


IGBTディスクリート / モジュール、Fairchild Semiconductor


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ