STMicroelectronics TO-263 IGBT, Nチャンネル, 420 V, 30 A, 3ピン

IGBT・絶縁ゲートバイポーラトランジスタ の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 個(1個5個入り) 小計：*

￥2,184.00

(税抜)

￥2,402.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,205 は 2026年9月14日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
5 - 45￥436.80￥2,184
50 - 470￥378.60￥1,893
475 - 595￥330.00￥1,650
600 - 795￥280.20￥1,401
800 +￥231.20￥1,156

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
810-3485
メーカー型番:
STGB18N40LZT4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 Ic

30A

プロダクトタイプ

IGBT

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

420V

最大許容損失Pd

150W

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

チャンネルタイプ

N

ピン数

3

スイッチングスピード

1MHz

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

16 V

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

1.7V

動作温度 Max

175°C

長さ

10.4mm

高さ

4.6mm

シリーズ

Automotive Grade

幅

9.35mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

IGBTディスクリート、STMicroelectronics


IGBTディスクリート&モジュール、STMicroelectronics


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。