STMicroelectronics, STGB10NC60KDT4 TO-263 IGBT, タイプNチャンネル 600 V, 20 A, 3-Pin 表面
- RS品番:
- 795-8975
- メーカー型番:
- STGB10NC60KDT4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 5 - 45 | ￥286.60 | ￥1,433 |
| 50 - 470 | ￥258.60 | ￥1,293 |
| 475 - 595 | ￥231.20 | ￥1,156 |
| 600 - 795 | ￥203.40 | ￥1,017 |
| 800 + | ￥175.60 | ￥878 |
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- RS品番:
- 795-8975
- メーカー型番:
- STGB10NC60KDT4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 20A | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 600V | |
| 最大許容損失Pd | 65W | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| ピン数 | 3 | |
| スイッチングスピード | 1MHz | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | ±20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 2.5V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 4.6mm | |
| 長さ | 10.4mm | |
| シリーズ | STGx10NC60KD | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 20A | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 600V | ||
最大許容損失Pd 65W | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
ピン数 3 | ||
スイッチングスピード 1MHz | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO ±20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 2.5V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 4.6mm | ||
長さ 10.4mm | ||
シリーズ STGx10NC60KD | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
IGBTディスクリート、STMicroelectronics
IGBTディスクリート&モジュール、STMicroelectronics
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
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