onsemi Nチャンネル IGBT 650 V 70 A, 3-Pin TO-247 シングル
- RS品番:
- 842-7898
- メーカー型番:
- NGTB35N65FL2WG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
一時的な在庫切れ - 2024/08/22に入荷し、その後4営業日でお届け予定
追加されました
単価： 購入単位は2個
￥840.50
(税抜)
￥924.55
(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 2 - 6 | ￥840.50 | ￥1,681.00 |
| 8 - 14 | ￥755.00 | ￥1,510.00 |
| 16 - 18 | ￥668.50 | ￥1,337.00 |
| 20 - 22 | ￥583.00 | ￥1,166.00 |
| 24 + | ￥496.50 | ￥993.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 842-7898
- メーカー型番:
- NGTB35N65FL2WG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
IGBTディスクリート、ON Semiconductor
モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート、ON Semiconductor
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
仕様
特性 | |
|---|---|
| 最大連続コレクタ電流 | 70 A |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
| 最大パワー消費 | 300 W |
| パッケージタイプ | TO-247 |
| 実装タイプ | スルーホール |
| チャンネルタイプ | N |
| ピン数 | 3 |
| スイッチングスピード | 1MHz |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 寸法 | 16.26 x 5.3 x 21.08mm |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 動作温度 Min | -55 °C |
関連ページ
- onsemi Nチャンネル IGBT 1200 V 100 A, 3-Pin TO-247 シングル
- onsemi Nチャンネル IGBT 650 V 80 A, 3-Pin TO-247 シングル
- STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 650 V 120 A, 3-Pin TO-247 シングル
- Infineon Nチャンネル IGBT 650 V 70 A, 3-Pin TO-247-3- HCC に接続します 1 シングル
- Infineon Nチャンネル IGBT 650 V 40 A, 3-Pin TO-247 シングル
- STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 650 V 80 A, 3-Pin TO-247 シングル
- Infineon Nチャンネル IGBT 650 V 50 A, 3-Pin TO-247 シングル
- ローム Nチャンネル IGBT 650 V 70 A, 3-Pin TO-247N 1 シングル