onsemi TO-247 IGBT, Nチャンネル 650 V, 80 A, 3-Pin
- RS品番:
- 145-3469
- メーカー型番:
- NGTB40N65FL2WG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | ￥584.70 | ￥17,541 |
| 150 - 270 | ￥578.733 | ￥17,362 |
| 300 - 720 | ￥567.133 | ￥17,014 |
| 750 - 1470 | ￥555.833 | ￥16,675 |
| 1500 + | ￥544.933 | ￥16,348 |
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- RS品番:
- 145-3469
- メーカー型番:
- NGTB40N65FL2WG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 最大連続コレクタ電流 | 80 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| 最大パワー消費 | 366 W | |
| パッケージタイプ | TO-247 | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| チャンネルタイプ | N | |
| ピン数 | 3 | |
| スイッチングスピード | 1MHz | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 寸法 | 16.26 x 5.3 x 21.08mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
最大連続コレクタ電流 80 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 650 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
最大パワー消費 366 W | ||
パッケージタイプ TO-247 | ||
実装タイプ スルーホール | ||
チャンネルタイプ N | ||
ピン数 3 | ||
スイッチングスピード 1MHz | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
寸法 16.26 x 5.3 x 21.08mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
- COO（原産国）:
- CN
IGBTディスクリート、ON Semiconductor
モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート、ON Semiconductor
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。