STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 300 mA エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-223, STN1NK60Z

MOSFET・モスフェット の一覧へ

1 リール(1リール4000個入り) 小計：*

￥165,176.00

(税抜)

￥181,692.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年4月20日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
4000 +￥41.294￥165,176

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
151-927
メーカー型番:
STN1NK60Z
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

300mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

SuperMESH

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

15Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.6V

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

4.9nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

6.7mm

規格 / 承認

RoHS

高さ

1.8mm

幅

3.7 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronicsパワーMOSFETは、確立されたストリップベースのパワーMESHレイアウトの最適化により、Super MESHテクノロジーを使用して開発されています。このデバイスは、オン抵抗を大幅に削減することに加え、最も要求の厳しい用途に対応する高レベルのDVD/DT容量を確保するように設計されています。

100% アバランシェ試験済み

ゲート充電を最小限に抑える

SD機能の向上

Zener保護

関連ページ