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MOSFET・モスフェット
IXYS Nチャンネル MOSFET150 V 150 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
RS品番:
194-259
メーカー型番:
IXFN180N15P
メーカー/ブランド名:
IXYS
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RS品番:
194-259
メーカー型番:
IXFN180N15P
メーカー/ブランド名:
IXYS
その他
詳細情報
仕様
RoHSステータス: 適合
NチャンネルパワーMOSFET IXYS HiperFET™ Polar™シリーズ
IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET™)
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
150 A
最大ドレイン-ソース間電圧
150 V
シリーズ
HiperFET, Polar
パッケージタイプ
SOT-227
実装タイプ
スクリュー マウント
ピン数
4
最大ドレイン-ソース間抵抗
11 mΩ
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧
5V
最大パワー消費
680000 mW
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-20 V, +20 V
標準ゲートチャージ @ Vgs
240 nC @ 10 V
トランジスタ素材
Si
幅
25.42mm
長さ
38.23mm
動作温度 Max
+175 °C
1チップ当たりのエレメント数
1
高さ
9.6mm
動作温度 Min
-55 °C