IXYS MOSFET, Nチャンネル, 150 A, スクリュー マウント, 4 ピン, IXFN180N15P
- RS品番:
- 194-259
- メーカー型番:
- IXFN180N15P
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
在庫が表示されていない場合があります。ページの再読み込みをお試しください。
- RS品番:
- 194-259
- メーカー型番:
- IXFN180N15P
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 150 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 150 V | |
| シリーズ | HiperFET, Polar | |
| パッケージタイプ | SOT-227 | |
| 実装タイプ | スクリュー マウント | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 11 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5V | |
| 最大パワー消費 | 680000 mW | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 240 nC @ 10 V | |
| 幅 | 25.42mm | |
| 長さ | 38.23mm | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| 高さ | 9.6mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 150 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 150 V | ||
シリーズ HiperFET, Polar | ||
パッケージタイプ SOT-227 | ||
実装タイプ スクリュー マウント | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 11 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 5V | ||
最大パワー消費 680000 mW | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
トランジスタ素材 Si | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 240 nC @ 10 V | ||
幅 25.42mm | ||
長さ 38.23mm | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
高さ 9.6mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
NチャンネルパワーMOSFET IXYS HiperFET™ Polar™シリーズ
IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET™)
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品