IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 66 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
- RS品番:
- 920-0745
- メーカー型番:
- IXFN80N50P
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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単価： 購入単位は10個
￥4,070.70
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￥4,477.77
(税込)
| 個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
| 10 - 40 | ￥4,070.70 | ￥40,707.00 |
| 50 - 90 | ￥3,989.30 | ￥39,893.00 |
| 100 - 240 | ￥3,909.50 | ￥39,095.00 |
| 250 - 490 | ￥3,831.30 | ￥38,313.00 |
| 500 + | ￥3,754.70 | ￥37,547.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 920-0745
- メーカー型番:
- IXFN80N50P
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
詳細情報
NチャンネルパワーMOSFET IXYS HiperFET™ Polar™シリーズ
IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET™)
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 66 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 500 V |
| シリーズ | HiperFET, Polar |
| パッケージタイプ | SOT-227 |
| 実装タイプ | スクリュー マウント |
| ピン数 | 4 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 65 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5V |
| 最大パワー消費 | 700 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 195 nC@10 V |
| 長さ | 38.2mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 幅 | 25.07mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 9.6mm |
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