IXYS MOSFET, Nチャンネル, シングル, 150 V, 150 A, 11 mΩ, 240 nC, 4ピン, パッケージ：SOT-227
- RS品番:
- 920-0757
- メーカー型番:
- IXFN180N15P
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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- RS品番:
- 920-0757
- メーカー型番:
- IXFN180N15P
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 150 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 150 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 11 mΩ | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 240 nC | |
| ピン数 | 4 | |
| パッケージ型式 | SOT-227 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 高さ | 9.6 mm | |
| 長さ | 38.23 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | -20 V, +20 V | |
| 動作温度 (Max) | 175 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 680 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | パネル取り付け | |
| シリーズ | HiperFET, Polar | |
| 幅 | 25.42 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 150 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 150 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 11 mΩ | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 240 nC | ||
ピン数 4 | ||
パッケージ型式 SOT-227 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
高さ 9.6 mm | ||
長さ 38.23 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) -20 V, +20 V | ||
動作温度 (Max) 175 °C | ||
最大許容損失(Pd) 680 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ パネル取り付け | ||
シリーズ HiperFET, Polar | ||
幅 25.42 mm | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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